IQE013N04LM6ATMA1

商品型号 :

IQE013N04LM6ATMA1

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

2240+

包装 :

--

库存 :

103

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

31A(Ta),205A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.35 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@51µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

55 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3900pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),107W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSON-8-4

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

IQE013

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99