百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > RQ3E180BNTB
阶梯
美金
含税
178+
$0.5987
¥4.5733
250+
$0.5746
¥4.3896
500+
$0.5539
¥4.2317
1000+
$0.5359
¥4.0937
2500+
$0.52
¥3.9725
货期:
品牌:
分类:
封装:
8-HSMT(3.2x3)
描述:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
商品型号 :
RQ3E180BNTB
类目 :
品牌 :
Rohm(罗姆)
最小包装量 :
1
起订量 :
178
批次 :
2201+
包装 :
--
库存 :
3000
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧@18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
37 nC@4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3500pF@15 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2W(Ta),20W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HSMT(3.2x3)
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
RQ3E180
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 360000
标准包: 5000
增量: 5000
批次: 26+
5000+
--
¥1.1818
5200+
--
¥1.1685
5500+
--
¥1.1556
6000+
--
¥1.1429
库存: 1915
标准包: 3000
增量: 1
批次: 22+
1+
$0.1745
¥1.3333
3000+
$0.1633
¥1.2474
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