百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

阶梯

美金

含税

178+

$0.5987

¥4.5733

250+

$0.5746

¥4.3896

500+

$0.5539

¥4.2317

1000+

$0.5359

¥4.0937

2500+

$0.52

¥3.9725

关税
  • 库存:3000
  • 起订量:178
  • 倍数:1

货期:

大陆: 12-15工作日
香港: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥814.0474

  • 最小包装量:1
  • 批次:2201+

商品RQ3E180BNTB规格参数

商品型号 :

RQ3E180BNTB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

178

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

3000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

39A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.9 毫欧@18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

37 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3500pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Ta),20W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-HSMT(3.2x3)

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

RQ3E180

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

RQ3E180BNTB 相关商品推荐

商品图片
型号/品牌/参数
库存/包装/批次

阶梯

香港交货

大陆交货(含税)

交期
合计
操作

优惠券

可领取的券

云芯AI助手