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NTPF190N65S3H

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美金

含税

2+

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¥28.3132

10+

--

¥27.4579

100+

--

¥26.6125

250+

--

¥26.0374

500+

--

¥25.4819

  • 库存:974
  • 起订量:2
  • 倍数:2

货期:

大陆: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥56.6264

  • 最小包装量:2

商品NTPF190N65S3H规格参数

商品型号 :

NTPF190N65S3H

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

974

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

190 毫欧@8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1.4mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1600pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

32W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

不适用

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