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FDB2532

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200+

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¥21.2305

  • 库存:587
  • 起订量:200
  • 倍数:1

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大陆: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥4375.36

  • 最小包装量:1

商品FDB2532规格参数

商品型号 :

FDB2532

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

200

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

587

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A(Ta),79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

16 毫欧@33A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5870pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

310W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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