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ZXMHC6A07N8TC

阶梯

美金

含税

5+

--

¥8.7751

625+

--

¥8.5136

1250+

--

¥8.2561

  • 库存:7385
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥43.8755

  • 最小包装量:5

商品ZXMHC6A07N8TC规格参数

商品型号 :

ZXMHC6A07N8TC

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

5

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

7385

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 和 2 P 沟道(全桥)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.39A,1.28A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

250 毫欧@1.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.2nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

166pF@40V,141pF@50V

功率 - 最大值

870mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SO

基本产品编号

ZXMHC6A07

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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