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FDC5612

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美金

含税

3000+

--

¥1.7981

15000+

--

¥1.744

  • 库存:33905
  • 起订量:3000
  • 倍数:3000

货期:

大陆: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥5394.30

  • 最小包装量:3000

商品FDC5612规格参数

商品型号 :

FDC5612

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

33905

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

55 毫欧@4.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

650pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.6W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SuperSOT™-6

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

基本产品编号

FDC5612

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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