AFGB40T65SQDN

商品型号 :

AFGB40T65SQDN

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3084

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

160A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,40A

功率 - 最大值

238W

开关能量

858µJ(导通),229µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

76 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

17.6ns/75.2ns

测试条件

400V,40A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

131ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

TO-263(D2PAK)

基本产品编号

AFGB40

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99