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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 非易失性存储器NVM > 其它存储器 > CY15B104Q-LHXI

    其它存储器CY15B104Q-LHXI采购_元器件采购商城
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    CY15B104Q-LHXI

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    商品CY15B104Q-LHXI规格参数

    商品型号 :

    CY15B104Q-LHXI

    类目 :

    其它存储器

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

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    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    219

    系列

    F-RAM™

    包装

    管件

    DigiKey 可编程

    未验证

    存储器类型

    非易失

    存储器格式

    FRAM

    技术

    FRAM(铁电体 RAM)

    存储容量

    4Mb

    存储器组织

    512K x 8

    存储器接口

    SPI

    时钟频率

    40MHz

    写周期时间 - 字,页

    --

    电压 - 供电

    2V~3.6V

    工作温度

    -40℃~85℃(TA)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    8-WDFN 祼焊盘

    供应商器件封装

    8-DFN(5x6)

    基本产品编号

    CY15B104

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • CY15B104Q-LHXI_其它存储器
      数据手册
      CY15B104Q-LHXI

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 其它存储器

      封装： 8-DFN（5x6）

      库存： 51

      标准包： 1

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    • CY15B104Q-LHXI_其它存储器
      数据手册
      CY15B104Q-LHXI

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 其它存储器

      封装： 8-DFN（5x6）

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