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    三极管(BJT)ZTX855采购_元器件采购商城
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    ZTX855

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    商品ZTX855规格参数

    商品型号 :

    ZTX855

    类目 :

    三极管(BJT)

    品牌 :

    DIODES(美台)

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    批次 :

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    系列

    --

    包装

    散装

    晶体管类型

    NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    4A

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    150V

    不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

    260mV@400mA,4A

    电流 - 集电极截止(最大值)

    50nA(ICBO)

    不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

    100@1A,5V

    功率 - 最大值

    1.2W

    频率 - 跃迁

    90MHz

    工作温度

    -55℃~200℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    E-Line-3

    供应商器件封装

    E-Line(TO-92 兼容)

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • ZTX855_三极管(BJT)
      数据手册
      ZTX855

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 三极管(BJT)

      封装： E-Line（TO-92 兼容）

      库存： 3691

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    • ZTX855_三极管(BJT)
      数据手册
      ZTX855

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 三极管(BJT)

      封装： E-Line（TO-92 兼容）

      库存： 3691

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