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NVMFS5C406NLT1G

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含税

375+

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¥39.7801

750+

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¥38.5866

  • 库存:1245
  • 起订量:375
  • 倍数:5

货期:

大陆: 9-12工作日

数量:

- +

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¥14917.5375

  • 最小包装量:5

商品NVMFS5C406NLT1G规格参数

商品型号 :

NVMFS5C406NLT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

5

起订量 :

375

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1245

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

53A(Ta),362A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.7 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@280µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

149 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9400pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.9W(Ta),179W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳

8-PowerTDFN,5 引线

基本产品编号

NVMFS5

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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