百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FDS4935BZ

FDS4935BZ

阶梯

美金

含税

2500+

--

¥2.8923

12500+

--

¥2.7763

  • 库存:13325
  • 起订量:2500
  • 倍数:2500

货期:

大陆: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥7230.75

  • 最小包装量:2500

商品FDS4935BZ规格参数

商品型号 :

FDS4935BZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2500

起订量 :

2500

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

13325

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.9A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

22 毫欧@6.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

40nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1360pF@15V

功率 - 最大值

900mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

FDS49

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

FDS4935BZ 相关商品推荐

商品图片
型号/品牌/参数
库存/包装/批次

阶梯

香港交货

大陆交货(含税)

交期
合计
操作

优惠券

可领取的券

云芯AI助手