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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > STGD18N40LZT4

    场效应管(MOSFET)STGD18N40LZT4采购_元器件采购商城
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    STGD18N40LZT4

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    商品STGD18N40LZT4规格参数

    商品型号 :

    STGD18N40LZT4

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    ST(意法半导体)

    最小包装量 :

    2500

    起订量 :

    2500

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    2440

    系列

    PowerMESH™

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    IGBT 类型

    --

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    420V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    25A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    40A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.7V@4.5V,10A

    功率 - 最大值

    125W

    开关能量

    --

    输入类型

    逻辑

    栅极电荷

    29 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    650ns/13.5µs

    测试条件

    300V,10A,5V

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    汽车级

    资质

    AEC-Q101

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

    供应商器件封装

    DPAK

    基本产品编号

    STGD18

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • STGD18N40LZT4_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      STGD18N40LZT4

      品牌： ST(意法半导体)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： DPAK

      库存： 1950

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      10+ ¥13.1243 ¥13.8151
      100+ ¥9.2008 ¥9.6851
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    • STGD18N40LZT4_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      STGD18N40LZT4

      品牌： ST(意法半导体)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： DPAK

      库存： 1950

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