IRF5801TRPBF

商品型号 :

IRF5801TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

10

起订量 :

750

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

13660

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

600mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.2 欧姆@360mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.9 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

88pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

Micro6™(TSOP-6)

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

基本产品编号

IRF5801

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99