SQJ504EP-T1_GE3

商品型号 :

SQJ504EP-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

10

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

20

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.5 毫欧@8A,10V,17 毫欧@8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

30nC@10V,85nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1900pF@25V,4600pF@25V

功率 - 最大值

34W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® SO-8 双

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8 双

基本产品编号

SQJ504

ECCN

EAR99