STGW75H65DFB2-4

商品型号 :

STGW75H65DFB2-4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

2

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

58

系列

HB2

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

115A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

225A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,75A

功率 - 最大值

357W

开关能量

992µJ(导通),766µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

207 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

22ns/121ns

测试条件

400V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

88ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-4

供应商器件封装

TO-247-4

基本产品编号

STGW75

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99