SI4909DY-T1-GE3

商品型号 :

SI4909DY-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

20

起订量 :

640

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

320

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

27 毫欧@8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

63nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2000pF@20V

功率 - 最大值

3.2W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

SI4909

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99