SIZF640DT-T1-GE3

商品型号 :

SIZF640DT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

5

起订量 :

50

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

5975

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

41A(Ta),159A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.37 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

106nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5750pF@20V

功率 - 最大值

4.2W(Ta),62.5W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerDFN

供应商器件封装

PowerPAIR® 6x5FS

基本产品编号

SIZF640

ECCN

EAR99