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NTB7D3N15MC

阶梯

美金

含税

10+

--

¥21.7707

100+

--

¥21.1219

250+

--

¥20.4878

500+

--

¥19.8733

  • 库存:760
  • 起订量:10
  • 倍数:2

货期:

大陆: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥217.707

  • 最小包装量:2

商品NTB7D3N15MC规格参数

商品型号 :

NTB7D3N15MC

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

760

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

15.2A(Ta),101A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

8V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.3 毫欧@62A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@342µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

53 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4250pF@75 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.75W(Ta),166W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263(D2PAK)

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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