DMG4511SK4-13

商品型号 :

DMG4511SK4-13

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

20

起订量 :

640

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

7420

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道,共漏

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

35V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.3A,5A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

35 毫欧@8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18.7nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

850pF@25V

功率 - 最大值

1.54W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-5,DPAK (4 Leads + Tab)

供应商器件封装

TO-252-4L

基本产品编号

DMG4511

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99