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IKD06N60RFATMA1

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  • 最小包装量:10

商品IKD06N60RFATMA1规格参数

商品型号 :

IKD06N60RFATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

10

起订量 :

630

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

7480

系列

TRENCHSTOP™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

12A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

18A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.5V@15V,6A

功率 - 最大值

100W

开关能量

90µJ(导通),90µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

48 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

7ns/106ns

测试条件

400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

48ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

PG-TO252-3

基本产品编号

IKD06N

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • IKD06N60RFATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TO252-3

    库存: 2470

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2222+

    4+

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    官方客服电话:400-900-7975

  • IKD06N60RFATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TO252-3

    库存: 2470

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2222+

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    1000+ ¥4.8762 ¥5.1328
    2500+ ¥4.4018 ¥4.6335
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