IQE006NE2LM5ATMA1

商品型号 :

IQE006NE2LM5ATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4856

系列

OptiMOS™ 5

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

41A(Ta),298A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.65 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

82.1 nC@10 V

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5453pF@12 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),89W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSON-8-4

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

IQE006

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99