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MJD112-1G

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  • 最小包装量:75

商品MJD112-1G规格参数

商品型号 :

MJD112-1G

类目 :

达林顿管

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

75

起订量 :

75

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

345

系列

--

包装

管件

晶体管类型

NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

2A

电压 - 集射极击穿(最大值)

100V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

3V@40mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值)

20µA

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

1000@2A,3V

功率 - 最大值

1.75W

频率 - 跃迁

25MHz

工作温度

-65℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA

供应商器件封装

IPAK

基本产品编号

MJD112

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • MJD112-1G

    品牌: onsemi(安森美)/Fairchild

    分类: 三极管(BJT)

    封装: IPAK

    库存: 1581

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2640+

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    官方客服电话:400-900-7975

  • MJD112-1G

    品牌: onsemi(安森美)/Fairchild

    分类: 三极管(BJT)

    封装: IPAK

    库存: 345

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2243+

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