DMN2014LHAB-7

商品型号 :

DMN2014LHAB-7

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

50

起订量 :

750

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2850

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)共漏

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

13 毫欧@4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

16nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1550pF@10V

功率 - 最大值

800mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-UFDFN 祼焊盘

供应商器件封装

U-DFN2030-6(B 类)

基本产品编号

DMN2014

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99