IGB50N65H5ATMA1

商品型号 :

IGB50N65H5ATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2970

系列

TRENCHSTOP™ 5

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

150A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,50A

功率 - 最大值

270W

开关能量

1.59mJ(导通),750µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

120 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

23ns/173ns

测试条件

400V,50A,12 欧姆,15V

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

PG-TO263-3

基本产品编号

IGB50

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99