IPTG111N20NM3FDATMA1

商品型号 :

IPTG111N20NM3FDATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1760

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10.8A(Ta),108A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.1 毫欧@96A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@267µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

7000pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.8W(Ta),375W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售