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FGA60N65SMD

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商品FGA60N65SMD规格参数

商品型号 :

FGA60N65SMD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

116

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

120A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

180A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.5V@15V,60A

功率 - 最大值

600W

开关能量

1.54mJ(导通),450µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

189 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

18ns/104ns

测试条件

400V,60A,3 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

47ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P

基本产品编号

FGA60N65

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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