CSD16401Q5

商品型号 :

CSD16401Q5

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

6

批次 :

2237+

包装 :

--

库存 :

2026

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

38A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.6 毫欧@40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.9V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

29 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

+16V,-12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4100pF@12.5 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.1W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSON-CLIP(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD16401

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99