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IRFR6215TRLPBF

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3000+

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  • 倍数:3000

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  • 最小包装量:3000
  • 批次:2621+

商品IRFR6215TRLPBF规格参数

商品型号 :

IRFR6215TRLPBF

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

2621+

包装 :

--

库存 :

12000

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

295 毫欧@6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

66 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

860pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

110W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA (DPAK)

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

IRFR6215

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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