NTMFD2D4N03P8

商品型号 :

NTMFD2D4N03P8

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

9000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A(Ta),56A(Tc),25A(Ta),84A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 毫欧@17A,10V,2.4 毫欧@25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA,3V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24nC@10V,55nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1715pF@15V,3825pF@15V

功率 - 最大值

1W(Ta),23W(Tc),1.1W(Ta),25W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

基本产品编号

NTMFD2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99