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GP2T040A120U

阶梯

美金

含税

1+

$163.277

¥1355.8033

30+

$99.9561

¥830.0054

60+

$92.418

¥767.4116

120+

$86.081

¥714.7904

510+

$79.1699

¥657.4029

关税
  • 库存:59
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥1355.8033

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品GP2T040A120U规格参数

商品型号 :

GP2T040A120U

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

SemiQ

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

59

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

63A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

52 毫欧@40A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

118 nC@20 V

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3192pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

322W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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