NVMTS1D6N10MCTXG

商品型号 :

NVMTS1D6N10MCTXG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

5629

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

36A(Ta),273A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.7 毫欧@90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@650µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

106 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

7630pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

5W(Ta),291W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

供应商器件封装

8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳

8-PowerTDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99