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NTTFS115P10M5

阶梯

美金

含税

1+

$17.02

¥140.8668

10+

$10.7755

¥89.1839

50+

$8.061

¥66.7176

100+

$7.1861

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500+

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关税
  • 库存:126548
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥140.8668

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品NTTFS115P10M5规格参数

商品型号 :

NTTFS115P10M5

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

126548

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2A(Ta),13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

120 毫欧@2.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@45µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

9.2 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

637pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

900mW(Ta),41W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳

8-PowerWDFN

基本产品编号

NTTFS1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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