TPCC8105,L1Q

商品型号 :

TPCC8105,L1Q

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

5000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

4

系列

U-MOSVI

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

23A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.8 毫欧@11.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

76 nC@10 V

Vgs(最大值)

+20V,-25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3240pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

700mW(Ta),30W(Tc)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-TSON Advance(3.3x3.3)

封装/外壳

8-VDFN 祼焊盘

ECCN

EAR99