BSD214SNL6327

商品型号 :

BSD214SNL6327

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

25000

批次 :

批次:11+

包装 :

--

库存 :

--

系列

OptiMOS™ 2

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

140 毫欧@1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@3.7µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.8 nC@5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

143pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT363-6-6

封装/外壳

6-VSSOP,SC-88,SOT-363

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99