GT40QR21(STA1,E,D

商品型号 :

GT40QR21(STA1,E,D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

25

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

9

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

80A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.7V@15V,40A

功率 - 最大值

230W

开关能量

-,290µJ(关)

输入类型

标准

25℃ 时 Td(开/关)值

--

测试条件

280V,40A,10 欧姆,20V

反向恢复时间 (trr)

600ns

工作温度

175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P(N)

基本产品编号

GT40QR21

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99