SSM6L820R,LF

商品型号 :

SSM6L820R,LF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

5722

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V,20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

39.1 毫欧@2A,4.5V,45 毫欧@3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA,1.2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.2nC@4.5V,6.7nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

310pF@15V,480pF@10V

功率 - 最大值

1.4W(Ta)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

供应商器件封装

6-TSOP-F

基本产品编号

SSM6L820

ECCN

EAR99