百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > BUK6E2R3-40C,127
品牌:
分类:
封装:
I2PAK
描述:
306W(Tc) 2.8V@1mA 260nC@ 10 V 个N沟道 40V 2.3mΩ@ 25A,10V 120A 15.1nF@25V I2PAK 通孔安装
商品型号 :
BUK6E2R3-40C,127
类目 :
品牌 :
NXP(恩智浦)/Freescale
最小包装量 :
1
起订量 :
448
批次 :
批次:11+
包装 :
--
库存 :
--
系列
TrenchMOS™
包装
散装
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧@25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
260 nC@10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15100pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
306W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
REACH 状态
不受 REACH影响
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 400000
标准包: 1000
增量: 1
批次: 26+
10+
--
¥3.3386
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