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EFC2J013NUZTDG

阶梯

美金

含税

1+

$10.8445

¥90.0495

10+

$6.7425

¥55.9873

50+

$4.9758

¥41.3177

100+

$4.4014

¥36.5479

500+

$3.3928

¥28.1726

关税
  • 库存:3155
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥90.0495

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品EFC2J013NUZTDG规格参数

商品型号 :

EFC2J013NUZTDG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

3155

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)共漏

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

--

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.3V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

37nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

--

功率 - 最大值

1.8W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-SMD,无引线

供应商器件封装

6-WLCSP(2x1.49)

基本产品编号

EFC2J013

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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