G06NP06S2

商品型号 :

G06NP06S2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

11850

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

35 毫欧@6A,10V,45 毫欧@5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA,3.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

22nC@10V,25nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1350pF@30V,2610pF@30V

功率 - 最大值

2W(Tc),2.5W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOP

基本产品编号

G06N

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99