百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SI2309CDS-T1-BE3
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOT-23-3(TO-236)
描述:
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
商品型号 :
SI2309CDS-T1-BE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
Digi-Reel® 得捷定制卷带
库存 :
2831
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A(Ta),1.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
345 毫欧@1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.1 nC@4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210pF@30 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
1W(Ta),1.7W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
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库存: 400000
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增量: 1
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