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TPH2R306NH1,LQ

阶梯

美金

含税

1+

$25.0125

¥207.6963

10+

$16.0724

¥133.4604

50+

$12.219

¥101.4628

100+

$10.9779

¥91.1572

500+

$8.7995

¥73.0682

关税
  • 库存:9144
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥207.6963

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品TPH2R306NH1,LQ规格参数

商品型号 :

TPH2R306NH1,LQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

9144

系列

U-MOSVIII-H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

136A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.3 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

72 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6100pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

800mW(Ta),170W(Tc)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOP Advance(5x5.75)

封装/外壳

8-PowerTDFN

ECCN

EAR99

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