TW027N65C,S1F

商品型号 :

TW027N65C,S1F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

14

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

58A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

37 毫欧@29A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

65 nC@18 V

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2288pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

156W(Tc)

工作温度

175℃

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247

封装/外壳

TO-247-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99