百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TW045N120C,S1F
TW045N120C,S1F
阶梯
美金
含税
1+
$31.086
¥241.8667
30+
$20.1887
¥157.0792
120+
$20.0241
¥155.799
- 库存：1
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-247
-
描述：
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
- 包装：管件
- 最小包装量：30
TW045N120C,S1F其他库存
商品TW045N120C,S1F规格参数
商品型号 :
TW045N120C,S1F
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
30
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
1
系列
--
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
59 毫欧@20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@6.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
57 nC@18 V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1969pF@800 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
182W(Tc)
工作温度
175℃
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
TW045N120C,S1F 相关商品推荐
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
-
库存： 30
标准包： 30
增量： 30
批次： 2306+
30+
$13.9149
¥108.2656
120+
$13.8723
¥107.9345
大陆: 9-12工作日香港: 6-9工作日关税
-
库存： 30
标准包： 30
增量： 30
批次： 2306+
30+
$13.6664
¥106.3323
120+
$13.6246
¥106.0071
大陆: 9-12工作日香港: 6-9工作日关税