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SH8J65TB1
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- 库存：2362
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
8-SOP
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描述：
MOSFET, DUAL P-CH, 30V, 7A, 150DEG C, 2W
- 最小包装量：1
SH8J65TB1其他库存
商品SH8J65TB1规格参数
商品型号 :
SH8J65TB1
类目 :
品牌 :
Rohm(罗姆)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2362
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧@7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18nC@5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1200pF@10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
基本产品编号
SH8J65
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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大陆交货(含税)
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