NXH350N100H4Q2F2S1G

商品型号 :

NXH350N100H4Q2F2S1G

类目 :

IGBT单管

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

26

系列

--

包装

托盘

IGBT 类型

沟槽型场截止

配置

三级反相器

电压 - 集射极击穿(最大值)

1000V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

303A

功率 - 最大值

276W

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.3V@15V,375A

电流 - 集电极截止(最大值)

1mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)

24.146nF@20 V

输入

标准

NTC 热敏电阻

是

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

42-PIM/Q2PACK(93x47)

基本产品编号

NXH350

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99