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NXH200B100H4F2SG

阶梯

美金

含税

1+

--

¥1180.8583

5+

--

¥1158.049

10+

--

¥1135.2398

  • 库存:10
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

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合计:

¥1180.8583

  • 最小包装量:1

商品NXH200B100H4F2SG规格参数

商品型号 :

NXH200B100H4F2SG

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

10

系列

--

包装

托盘

IGBT 类型

沟槽型场截止

配置

三级反相器

电压 - 集射极击穿(最大值)

1000V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100A

功率 - 最大值

93W

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.4V@15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值)

200 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)

6.523nF@20 V

输入

标准

NTC 热敏电阻

是

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

36-PIM(56.7x48)

基本产品编号

NXH200

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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