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NSVMUN5312DW1T2G

阶梯

美金

含税

5+

--

¥1.79

50+

--

¥1.4086

150+

--

¥1.2399

  • 库存:4
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥8.95

  • 最小包装量:3000

商品NSVMUN5312DW1T2G规格参数

商品型号 :

NSVMUN5312DW1T2G

类目 :

数字晶体管

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

50V

电阻器 - 基极 (R1)

22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)

22 千欧

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

60@5mA,10V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

250mV@300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)

500nA

频率 - 跃迁

--

功率 - 最大值

250mW

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

基本产品编号

MUN5312

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

优惠券

可领取的券

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