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FGH4L40T120LQD

阶梯

美金

含税

1+

$96.2435

¥796.5635

10+

$66.0503

¥546.6678

450+

$42.1337

¥348.7216

900+

$41.1602

¥340.664

关税
  • 库存:266
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥796.5635

  • 包装:管件
  • 最小包装量:450

商品FGH4L40T120LQD规格参数

商品型号 :

FGH4L40T120LQD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

450

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

266

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

160A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.8V@15V,40A

功率 - 最大值

306W

开关能量

1.04mJ(导通),1.35mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

227 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

42ns/218ns

测试条件

600V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

59ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-4

供应商器件封装

TO-247-4L

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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