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G70P02K

阶梯

美金

含税

1+

$12.3625

¥102.6545

10+

$7.7418

¥64.2856

50+

$5.7463

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100+

$5.0996

¥42.3452

500+

$3.9617

¥32.8966

关税
  • 库存:2788
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥102.6545

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品G70P02K规格参数

商品型号 :

G70P02K

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

2788

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

15V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

10 毫欧@20A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

110 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5869pF@7.5 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

70W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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