STGYA50H120DF2

商品型号 :

STGYA50H120DF2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

380

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.6V@15V,50A

功率 - 最大值

535W

开关能量

2mJ(导通),2.1mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

210 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

40ns/284ns

测试条件

600V,50A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

340ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247

基本产品编号

STGYA50

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99